טאואר-ג’אז הודיעה היום על זמינותן של ספריות תכנון עבור פלטפורמות ה-SiGe וה-RF המתקדמות והייחודיות של החברה בטכנולוגיית 0.13 מיקרון. ספריות אלה, שיפותחו ויסופקו יחד עם ARM, יצטרפו לסט ספריות התכנון הקיימות של החברה המסוגלות לספק הספק מתח נמוך וביצועים גבוהים מהמובילים בתעשייה. השילוב של הפלטפורמות הטכנולוגיות של טאואר-ג’אז יחד עם ההיצע של ARM מהווים פתרון אידיאלי עבור לקוחות המתכננים שבבי RF ויישומים ניידים הזקוקים לתדר גבוה וחיי סוללה ארוכים.
טכנולוגיית ה-0.13 מיקרון, הזמינה כעת במתקן הייצור הישראלי של החברה, משלבת ביצועים דו-קוטביים של SiGe יחד עם תהליך CMOS מבוסס נחושת על-מנת להשיג ביצועי RF גבוהים. שווקי היעד לפתרון טכנולוגי זה הינם יישומים בעלי הספק מתח נמוך עבור מכשירים ניידים אלחוטיים (WLAN), תקשורת למטרות כלליות ומקלטי טלוויזיה דיגיטלית.
"אנו שמחים כי יצרנית השבבים המובילה בעולם בטכנולוגיות ייחודיות בחרה להציע את ספריות התכנון שלנו ללקוחות הדורשים הספק מתח נמוך וביצועים גבוהים עבור יישומים חדשניים שלהם. ספריות אלה יאפשרו להם לשמור על עלויות ייצור נמוכות תוך מתן אפשרויות תכנון המעניקות ערך מוסף גבוה," אמר סיימון סגארס, סמנכ"ל בכיר ומנהל כללי ב-ARM.
"אנחנו מרוצים מאוד מהשילוב של הספריות בהספקים נמוכים של ARM עם טכנולוגיית ה-0.13 מיקרון בפלטפורמות ה-SiGe וה-RF המתקדמת של טאואר ג’אז, שילוב שיביא לערך חסר תקדים בביצועי RF וחיי סוללה ארוכים למוצרי לקוחותינו," אמר אורי גלצור, סמנכ"ל מרכז התכנון של טאואר-ג’אז. "הודעה זו מתבססת על שותפות ארוכה עם ARM בפלטפורמות טכנולוגיות רבות, מבוצעת במתקני הייצור שלנו בישראל ובקליפורניה, ועולה בקנה אחד עם המחויבות שלנו להשקיע ביכולות התכנון הטובות ביותר ובפתרונות ה-IP שלנו תוך מצוינות בתכנון וייצור עבור לקוחותינו. "