טאואר-ג’אז ו-Crocus טכנולוגיות, מפתחת מובילה של זיכרונות גישה אקראית (RAM) מגנטיים, הודיעו היום על השלמת השלב הראשון באינטגרציית טכנולוגיית ה-MRAM החדשנית של Crocus בתהליך הייצור ב-0.13 מיקרון של טאואר-ג’אז. כתוצאה משיתוף-פעולה זה, פותח תהליך מיוחד בטמפרטורה נמוכה המאפשר ייצור זיכרונות TAS MRAM בתהליך 0.13 מיקרון עם מוליכי נחושת בטאואר-ג’אז.
על-מנת להשיג אבן דרך זו, היה צורך בפתרון מספר בעיות טכנולוגיות, בעיקר באזורי ליתוגרפיה בתחום תת-מיקרוני עמוק של שכבות צמתי תעלה מגנטיים וכן היה צורך בבחירת החומרים המתאימים שיאפשרו אמינות גבוהה של תאי הזיכרון. הטכנולוגיה החדשה שפותחה מוסיפה ארבע שכבות בלבד לתהליך ה-CMOS הרגיל והיא מתאימה לזיכרונות עצמאים ולזיכרונות המשובצים ברכיבים לוגיים. השילוב של טכנולוגיה זו בתהליך 130 ננומטר משולב נחושת של טאואר-ג’אז מאפשר הצגת טכנולוגיה מובילה של שבבי זיכרון עצמאים וכן מערכי זיכרונות לשימוש במערכות על שבב לשימושי מיקרו בקרים בתחום הרכב והתקשורת.
"שמחנו מאוד לעבוד עם הצוות של Crocus, שכלל מומחים מצוינים בתחום החומרים המגנטיים ותכנון רכיבים. הניסיון של Crocus וטכנולוגיית ה-TAS MRAM החדשנית והייחודית שלהם, בשילוב עם מומחיותה של טאואר-ג’אז בפיתוח טכנולוגיות ובמתודולוגיית העברה, הם שאפשרו לנו לסיים את השלב הראשון בפרוייקט המשותף בזמן שיא," אמרה זמירה לביא, סמנכ"לית, מנהלת חטיבת מהנדסי תהליך מו"פ וחטיבת העברת טכנולוגיות. "תוכנית זו דרשה פיתוח תהליך ואינטגרציה של חומרים אשר היו חדשים לתהליך ייצור ה-CMOS המסורתי. גמישותה וניסיונה של טאואר-ג’אז, הידועה במתן שירותים בטכנולוגיות ייחודיות, הביאו להצלחה מהירה באינטגרציית MRAM/CMOS. אנו סמוכים ובטוחים שטכנולוגיית ה-MRAM של Crocus תגיע לייצור המוני בתוך זמן קצר."