טאואר-ג’אז הודיעה היום (יום ד’, 3 באוגוסט, 2011) כי השלימה את העברת פלטפורמת SiGe בטכנולוגיית 0.13 מיקרון לפאב 2, במגדל-העמק בישראל. הטכנולוגיה הועברה ממתקן הייצור של החברה בניו-פורט ביץ’, קליפורניה. החברה השלימה את כל תהליכי ההסכמה לטכנולוגיה זו שעיקרה תהליך אנלוגי מלא מבוסס סיליקון-גרמניום עם מוליכי נחושת בטכנולוגית 0.13 מיקרון.
טכנולוגיה זו מיועדת לשוק המוערך ביותר ממיליארד דולר, המשלב בתוכו את שוק האפליקציות האלחוטיות וטיונרים דיגיטליים לטלוויזיות. טאואר-ג’אז זכתה במספר חוזים עם לקוחות חדשים, שכעת ינצלו את זמינותה של הטכנולוגיה במגדל-העמק וצפויים בהתחלת ייצור כבר בתחילת 2012.
תהליך SBL13 של טאואר-ג’אז מתאים במיוחד למשדרים-מקלטים של LAN אלחוטי, טלפונים סלולאריים ומקלטי טלוויזיה. השילוב של טרנזיסטורים ביפולריים מבוססי סיליקון גרמניום על טכנולוגית 0.13um מבוססת עם מוליכי נחושת מאפשרת מעגלי RF באיכות גבוהה במיוחד תוך שילוב יותר ויותר לוגיקה דיגיטלית. השילוב מאפשר גם כן תכנון של רכיבי baseband ודמודולטורים מורכבים בפחות מחצי שטח השבב לעומת תהליך מבוסס 0.18 מיקרון.
"אנו נרגשים מאוד על ההצלחה בהעברת טכנולוגיית ה-SiGe 0.13um למתקן הייצור שלנו במגדל-העמק. דבר זה מאפשר לנו להגדיל את הנהגתנו בטכנולוגיית ה-SiGe תוך מתן האפשרות לייצור ייחודי במספר מתקני ייצור עבור לקוחותינו", אמר ד"ר מרקו רקאנלי, סמנכ"ל בכיר ומנהל חטיבת ה-RF & HPA בטאואר-ג’אז. "הטכנולוגיה הייחודית שיצרנו במגדל-העמק חשובה מאוד ליישומים הדורשים רמה גבוהה של אינטגרציה והלקוחות שלנו מרוצים מאוד מהפריסה הרחבה של פלטפורמה טכנולוגית זו."