מדענים במעבדות המחקר של יבמ בקליפורניה הציגו לראשונה בהצלחה טכנולוגיה לאחסון מגנטי של מידע על גבי 12 אטומים בלבד.
מספר האטומים הנדרש לאחסון סיבית בודדת בטכנולוגיה החדשה של יבמ נמוך משמעותית מזה המוכר כיום, בדיסקים קשיחים ובזיכרון הבזק (פלאש): התקני האחסון הקיימים צורכים כמיליון אטומים לכל סיבית בודדת של נתונים. האפשרות לבצע שינויים באופי המגנטי של החומר במיקוד ברמת האטומים הבודדים, עשויה לסלול את הדרך לבניית התקני אחסון קטנים יותר, מהירים יותר וחסכוניים יותר בצריכת הזרם.
טכנולוגיית הטרנזיסטורים בסיליקון הפכה עם השנים זולה יותר, צפופה יותר ויעילה יותר. עם זאת, הפיזיקה הבסיסית מלמדת כי לא ניתן יהיה לשמור לטווח ארוך על קצב המזעור המוכר לנו בעשורים האחרונים: יש צורך בגישות בסיסיות חדשות על מנת להבטיח המשך להתפתחות הטכנולוגית.
המדענים של יבמ אימצו גישה חדשה לחלוטין, וניגשו לבנות את היחידה הקטנה ביותר לאחסון נתונים, ברמה של אטומים בודדים. טכנולוגיית האחסון שנולדה בתהליך הנסיוני הזה צפופה יותר פי 100 בהשוואה למקובל בכוננים ובשבבי הזיכרון הנדיף המוכרים לנו כיום. הננו-מבנים אותם בונים המדענים ביבמ, תוך שהם מניחים בכל פעם אטום בודד במקום המיועד לו, מבוססים על צורה בלתי רגילה של מגנטיות, המכונה "אנטיפרומגנטיות" (antiferromagnetism), שבה טורי מולקולות מגנטיות מסתדרים לסירוגין במערך קטבים בכיוונים נוגדים.