ראסל אלוונגר, מנכ"ל טאואר סמיקונדוקטור<br>קרדיט: יח"צ
ראסל אלוונגר, מנכ"ל טאואר סמיקונדוקטור קרדיט: יח"צ

טאואר-ג’אז הודיעה היום על פלטפורמה חדשה למיתוג אנטנות בטלפונים סלולאריים המבוססת על טכנולוגיות סיליקון-על-מבודד (Silicon-on-Insulator). פתרונות מבוססי סיליקון-על-מבודד (SOI) זולים משמעותית מאלה המבוססות רכיבי pHEMPT בטכנולוגית גליום-ארסניד (GaAs) או בטכנולוגית סיליקון-על-ספיר (SOS). טכנולוגית הסיליקון-על-מבודד של טאואר-ג’אז ייחודית בכך שהיא שומרת על תאימות מלאה עם תהליך ה-CMOS הרגיל שלה ובכך מאפשרת אינטגרציה מלאה של מעגלי בקרה, מגברים נמוכי רעש ומגברי הספק על שבב בודד. סמארטפונים יוכלו ליהנות מרמת האינטגרציה הגבוהה של טכנולוגיה זו בעוד שטלפונים סלולאריים זולים יוכלו ליהנות מהעלות הנמוכה של פתרון זה.

 

"טכנולוגיית ה-SOI של טאואר-ג’אז מספקת ללקוחותינו סדרת תכונות מתקדמות במחיר נמוך מהטכנולוגיות הקיימות כיום בשוק. בניגוד לטכנולוגיות SOI אחרות, התהליך שלנו מאפשר אינטגרציה מוחלטת של מעגלי בקרה," אמר ד"ר מרקו רקאנלי, סמנכ"ל בכיר ומנהל חטיבת ה-RF/HPA בטאואר-ג’אז.

תגובות לכתבה

הוסיפו תגובה

אין לשלוח תגובות הכוללות מידע המפר את תנאי השימוש