יבמ חשפה התקדמות משמעותית בדרך לפיתוח טכנולוגיית חדשה לזכרונות מחשב, המכונה זיכרון שינוי פאזה (phase-change memory - PCM) , שתאפשר קפיצת מדרגה בעולם טכנולוגיית המידע והאחסון .
טכנולוגיית PCM שפיתחו חוקרים במעבדת המחקר של יבמ בציריך , נחשבת כיום לחלופה המבטיחה ביותר לטכנולוגיות הזיכרון והאחסון הקיימות כגון: זיכרון בזק (פלאש) והיא עשויה לאפשר רמות חדשות של ביצועים בשנים הבאות. היא מבשרת פוטנציאל לאחסון יציב וצפוף של נתונים, במהירות גבוהה פי 100 וברמות אמינות ועמידות טובות יותר מאלה של זיכרונות פלאש המוכרים ונפוצים כיום, החל מהתקני אחסון בממשק USB ועד לדיסקים SSD. כך, למשל, תאפשר טכנולוגיית PCM לאתחל מחשבים ושרתים באופן מיידי, תוך שיפור משמעותי בביצועי מערכות טכנולוגיות מידע. שלא כמו זיכרונות פלאש הקיימים כיום, המוגבלים לפעילות של כ- 30,000 מחזורי כתיבה ומחיקה – יכולים רכיבי PCM לבצע 10 מיליון מחזורי פעולות כאלה לפני שתירשם ירידה בביצועיהם.
השיפורים המשמעותיים אותם הכניסו מדעני יבמ לטכנולוגיה, מקצרים את הדרך לפיתוח מערכות זיכרון זולות יותר, מהירות יותר ועמידות יותר למכשירי צריכה – ובכלל זה טלפונים סלולאריים – כמו גם לסביבת אחסון בענן, ולמערכות בעלות ביצועים גבוהים דוגמת שרתי אחסון ארגוניים.
ככל שארגונים ולקוחות מאמצים יותר ויותר מודלים של מחשוב ענן, בהם מאוחסן רוב המידע ומעובד בסביבת הענן, נדרשים אמצעי אחסון בעלי עוצמה גבוהה יותר ומחיר משתלם יותר, הן ברמת הזיכרון הפנימי והן ברמת הזיכרון המנוהל כיום בדיסקים או בשבבי זיכרון פלאש ודיסקים המבוססים עליהם (SSD).
ביבמ צופים, כאמור, כי הטכנולוגיה החדשה תאפשר קפיצת מדרגה בעולם טכנולוגיות המידע והאחסון הארגוני, ובכלל זה סביבת ענן מחשוב – הצפויה להתממש עד שנת 2016.