יבמ ויצרנית המעבדים ARM מרחיבות את שיתוף הפעולה שלהן בתחום הטכנולוגיות המתקדמות של מוליכים למחצה, על מנת להאיץ את תהליכי הפיתוח והייצור של דור חדש של שבבים למוצרים ניידים בעלי ביצועים גבוהים, ברמות חדשות של יעילות בצריכת החשמל.
שיתוף הפעולה צפוי להוביל לפיתוח מעבדים של ARM שיותאמו לייצור בתהליכי הייצור המתוחכמים של יבמ, בטכנולוגיות של 14 ננו-מטר.
הדרישה בשוק ליכולות משופרות של מכשירים ניידים כגון: טלפונים חכמים, מכשירי כף יד וכו’ ובכלל זה הארכת משך הזמן בין טעינה
לטעינה, גישה רצופה לאינטרנט, מולטימדיה וניהול תנועות עסקיות מאובטחות – יוצרת אתגרים חדשים למתכנני השבבים. המהנדסים האלה חייבים להתחשב כיום באפקטים בקנה מידה של ננו-מטר בתהליכי הליתוגרפיה בהם מוטבעים מעגלי השבב על פרוסת הסיליקון, תוך שהם עומדים במקביל ביעדי הביצועים, צריכת הזרם ושטח השבב המשלב מאות מיליוני טרנזיסטורים. הדרישות המורכבות האלה מאריכות את תהליכי התכנון והבדיקה של השבב ומעכבות את הגעתו לשוק.
במסגרת ההסכם , יבמ ו- ARM ישתפו פעולה בפיתוח פלטפורמת תכנון המשלבת בין תהליכי הייצור, מאפייני השבב, צוותי הפיתוח והניהול של הקניין הרוחני עליו נשענת ARM, ומתכנני השבב עצמו. שיתוף הפעולה הזה יצמצם את הסיכונים והמחסומים המעכבים מעבר לגיאומטריות קטנות יותר ויבטיח אופטימיזציה של צפיפות השבב, הביצועים, צריכת החשמל ותפוקת קווי הייצור (yield).
שיתוף הפעולה בין יבמ ובין ARM החל ב- 2008, והוביל ליישום תהליכים מתקדמים בתחומי התכנון והייצור. אלה, איפשרו כבר ל- ARM להעביר ללקוחותיה למטרות בדיקה שבבים ראשונים בטכנולוגיית יצור של 32 ננטומטר ו- 28 ננטומטר, ולהבטיח אופטימיזציה של יצור ליבות העיבוד של השבבים.
ההסכם הנוכחי מהדק את שיתוף הפעולה בין יבמ ובין ARM בפיתוח תהליכי יצור למוליכים למחצה, הנחת יסודות של רכיבי תכנון ובנייה של שבבים, ואופטמיזציה של ליבות מעבדים הדרושה על מנת לבנות פתרונות מובילים של מערכת על גבי שבב בודד (SoC).